Name: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SKU: IS45S32400B-7BLA1-TR
Availability: InStock
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR

Artikelnummer:

IS45S32400B-7BLA1-TR

Hersteller / Marke:

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)

Teil der Beschreibung.:

IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA

Datenblätte:

1.IS45S32400B-7BL.pdf ···: 2D -Zeichnungen
DRAM Part Number Guide.pdf IS42S32400B.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IS45S32400B-7BLA1-TR.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-
Spannungsversorgung	3V ~ 3.6V
Technologie	SDRAM
Supplier Device-Gehäuse	90-TFBGA (8x13)
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	90-TFBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Speichertyp	Volatile
Speichergröße	128Mbit
Speicherorganisation	4M x 32
Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	DRAM
Uhrfrequenz	143 MHz
Grundproduktnummer	IS45S32400
Zugriffszeit	5.4 ns
IS45S32400B-7BLA1-TR Einzelheiten PDF [English]	IS45S32400B-7BLA1-TR PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

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- Foto der Teile
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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.